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當(dāng)使用掃描電鏡（SEM）觀察樣品時(shí)，隨著時(shí)間增加，電子束可以改變或破壞樣品。樣品破壞是一種不利的影響，因?yàn)樗赡軙?huì)改變或甚至毀壞想要觀察的細(xì)節(jié)，從而改變電鏡檢測結(jié)果和結(jié)論。在這篇博客中，將解釋導(dǎo)致樣品破壞的原因，以及如何緩解這一過程。

掃描電鏡（SEM）中，使用聚焦電子束掃描樣品的表面獲取信號(hào)后續(xù)處理來產(chǎn)生圖像。電子由電子槍產(chǎn)生并通過高壓加速獲得更高能量，通過電磁透鏡使其匯聚。加速電壓一般在1kV至30kV范圍內(nèi)，終作用于樣品的掃描電鏡束流在納安數(shù)量級(jí)。

經(jīng)過高壓加速的電子與樣品表面相互作用，對于不導(dǎo)電樣品，這種相互作用可能損傷樣品和破壞樣品。該破壞過程可以通過樣品表面產(chǎn)生的裂紋的形式看出，或者看起來材料像是熔化或沸騰的。材料破壞的速度隨加速電壓、觀察束流和放大倍數(shù)的變化而變化。

圖1：不同類型非導(dǎo)電樣品的破壞